功率半导体器件朝着大功率、高频率、高集成方向发展，带来棘手的散热难题，严重威胁其工作稳定性与可 靠性。 Si3 N4陶瓷具有高导热、高强度、热膨胀系数与第Ⅲ代半导体适配等特点，成为高性能陶瓷基板材料的理想之选， 但是不同烧结助剂体系及配比极大影响了Si3 N4陶瓷的烧结过程与产品性能。 因此，如何选用合适的烧结助剂，已成为 当前制备高导热、高强度Si3 N4陶瓷的关键。本文总结了目前制备高导热、高强度Si3 N4陶瓷用氧化物和非氧化物两类烧 结助剂体系的研究现状，分析了不同助剂体系对Si3 N4陶瓷的烧结致密化过程、微观结构调控、导热和力学性能的作用 机理，并展望了高导热、高强度Si3 N4陶瓷用烧结助剂体系未来的发展趋势和研究方向。