文章标题：新型(Sr0.5Ca0.5)3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14高温压电晶体的生长及性能表征
文章作者：赵桂媛 1 ，刘 蕾 1 ，尹芳艺 1 ，朱孟花 2 ，付秀伟 1
关 键 字：硅酸镓镧；高温压电；压电系数；提拉法；晶体生长
文章摘要：
硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。 本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型 (Sr 0.5 Ca 0.5 ) 3 Ta(Ga 0.5 Al 0.5 ) 3 Si 2 O 14 (SCTGAS) 高温压电晶体，并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。 生长的 SCTGAS 晶体无色，结晶质量较好，呈现出板面生长形态，在可见光波段具有较高的透过性。 在 450 ℃ 测试温度下， 该晶体的电阻率仍高于 10 9 Ω · cm 。 此外， Sr 取代能够显著增强晶体的高温压电系数d11 ， 550 ℃ 时该值达到 5.55 pC/N 。 因此， SCTGAS 晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。