文章标题：Cu掺杂SnSe晶体生长及热电性能研究

文章作者：金 敏
关 键 字：SnSe 晶体；Cu 掺杂；坩埚下降法；热电性能
文章摘要：利用坩埚下降法成功制备了具有标准 Pnma 空间群结构的 Cu 掺杂 SnSe 晶体，其尺寸为 φ18 mm×55 mm， Cu 元素在晶体中均匀分布。 该晶体为 P 型半导体材料， 电导率在 600 K 附近具有最低值 4.53 S·cm-1， 载流子浓度在 830 K 下达到 1.69 cm×1 019 cm，Seebeck 系 数 最 大 值 为739.5 μV·K-1，出 现 在 500 K 附 近。 功率因子 PF 随温度升高始 终增加，830 K 下为 4.80 μW·cm-1·K-2。 热电性能 ZT 在 800 K 附近达到最高值 0.83，说明该晶体是一种潜在的中温区热 电材料。