文章标题：金属氧化物基阻变存储器的研究进展

文章作者：张娇娇，周 龙，王洪强，董广志，樊慧庆
关 键 字：氧化物半导体；阻变存储器；信息存储；类脑计算
文章摘要：随着集成电路技术的发展，半导体器件尺寸也逐渐趋于摩尔定律的极限。 当前主流的非挥发性存储器件已 经无法满足信息科技对于超高密度快速存储的需求。 阻变存储器(RRAM)因其结构简单、工作速度快、可缩小性强且与 CMOS 工艺兼容等优点，被认为是下一代非易失性存储器的新星。 氧化物基阻变存储器因其优异的器件性能和稳定性， 在信息存储和类脑神经计算领域具有重要的应用价值。 本文从阻变存储器存储机理、材料种类、器件结构和器件性能等 方面系统地概述了氧化物基阻变存储器的研究进展，为氧化物基阻变存储器的发展提供新思路。