文章标题：六方、立方氮化硼的制备和热传导性质研究进展

文章作者：武 成，王 燕，李坚富，朱昭捷，游振宇，涂朝阳
关 键 字：六方氮化硼；立方氮化硼；晶体生长；薄膜；热导率
文章摘要：随着微电子技术的不断进步，电子芯片集成化电路越来越密集。 性能提高的同时，其内部热流密度不断攀 升，对电子器件的散热能力提出了更高的要求。 低热耗散材料严重制约了电子设备的性能和功效，有效的热传递和热管 理已成为下一代微处理器、集成电路、发光二极管等设备稳定工作的重要保障，因此亟需具有更高热导率的半导体材料 以提高电子器件的使用寿命。近年来，六方氮化硼(h-BN)和立方氮化硼(c-BN)引起了人们极大的研究兴趣，h-BN 具有与 石墨类似的层状晶体结构，常被称为“白石墨”，散热、绝缘性能良好；而 c-BN 为闪锌矿结构，具有类似于金刚石的晶体 结构，热导率仅次于金刚石，是第三代半导体中禁带宽度最大的材料。 研究表明，2 种晶体均具有良好的导热性能，可成 为新一代电子芯片散热材料，是当前热管理领域的研究热点。 本文对 h-BN 薄膜和 c-BN 单晶制备方法的研究进展进行 了综述，介绍了 h-BN 和 c-BN 热传导性质的研究成果，并对 h-BN 和 c-BN 面临的挑战和未来的发展方向进行了展望。